SXSEMI P6SMB12A
" (2343)P6SMB12A REACH（SVHC）声明
本文件为Littelfuse公司关于REACH法规（EC）No 1907/2006的声明，涉及产品系列/零件号P6SMB12A，该产品含有在REACH法规附件1b中列出的物质，其浓度超过0.1%重量比。声明中提到目前有211种高度关注物质（SVHC）在候选清单中，并提供了查看这些物质的链接。声明不修改任何合同或购买协议，并确认声明人有权代表公司发表此合规性认证。声明日期为2021年4月13日。
P6SMB12A RoHS合规证书
本证书证明Littelfuse公司P6SMB12A产品系列/部件号符合RoHS 2指令2011/65/EU的要求，不含有铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯（PBB）或多溴联苯醚（PBDE）等有害物质，且不含有邻苯二甲酸二（2-乙基己基）酯（DEHP）、丁基苯基邻苯二甲酸酯（BBP）、二丁基邻苯二甲酸酯（DBP）和二异丁基邻苯二甲酸酯（DIBP）等有害物质。此认证不改变任何合同或购买协议的条款。证书由全球环境、健康与安全经理Arsenio M. Cesista Jr.签署。
P6SMB系列瞬态电压抑制器二极管
该资料详细介绍了P6SMB系列瞬态电压抑制二极管（Transient Voltage Suppressor Diodes）的产品特性、电气特性、典型特性和封装尺寸。资料涵盖了产品的最大峰值脉冲功率、峰值脉冲电流、功耗、正向浪涌电流、工作结温和存储温度范围等关键参数。
P6SMB12AGQ SERIES 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors
P6SMB12CA REACH（SVHC）声明
本文件为Littelfuse公司关于REACH法规（EC）No 1907/2006的声明，涉及产品系列/零件编号P6SMB12CA，该产品含有在REACH法规附件1b中列出的物质，其浓度超过0.1%重量比。声明中提到目前有219种高度关注物质（SVHC）列入候选清单，并提供了ECHA网站链接供查阅。声明不修改任何合同或购买协议，并由公司全球EH&S总监Jennilyn Dinglasan-Santos签署。
P6SMB12CA RoHS合规证书
本证书证明Littelfuse公司P6SMB12CA产品系列/部件号符合RoHS 2指令2011/65/EU的要求，不含有铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯（PBB）、多溴联苯醚（PBDE）等有害物质，且不含有邻苯二甲酸二（2-乙基己基）酯（DEHP）、邻苯二甲酸丁苄酯（BBP）、邻苯二甲酸二丁酯（DBP）和邻苯二甲酸二异辛酯（DIBP）等有害物质。此认证不改变任何合同或购买协议的条款，且代表人为公司全球EH&S总监Jennilyn Dinglasan-Santos。
P6SMB120CA REACH（SVHC）声明
本文件为Littelfuse公司关于REACH法规（EC）No 1907/2006的声明，涉及产品系列/零件编号P6SMB120CA，该产品含有在REACH法规附件1b中列出的物质，其浓度超过0.1%重量比。声明中提到目前有205种高度关注物质（SVHC）在候选清单中。此声明不影响任何现有合同或购买协议，且由Littelfuse公司全球EH&S总监Jennilyn Dinglasan-Santos签署。
P6SMB120A REACH（SVHC）声明
本文件为Littelfuse公司关于REACH法规（EC）No 1907/2006的声明，涉及产品系列/零件号P6SMB120A，该产品含有在REACH法规附件1b中列出的物质，其浓度超过0.1%重量比。声明中提到目前有191种高度关注物质（SVHC）的候选清单，并提供了ECHA网站链接。声明不修改任何合同或购买协议，并由全球EH&S经理Arsenio M. Cesista Jr.签署。
P6SMB120A RoHS Lab Analysis Report and Certification
P6SMB120CA RoHS合规证书
本文件为Littelfuse公司关于其产品P6SMB120CA的RoHS合规性证书。证书声明该产品不含铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯（PBB）和多溴联苯醚（PBDE）等有害物质，且不含有害塑化剂（如DEHP、BBP、DBP和DIBP）超过规定的阈值。证书由全球EH&S总监Jennilyn Dinglasan-Santos签发，有效期为2020年1月10日。证书信息基于供应商提供的信息，并提供了联系方式以获取更多信息。
P6SMB12CAT3G RoHS合规证书
本证书证明Littelfuse公司P6SMB12CAT3G产品系列/部件编号符合RoHS 2指令2011/65/EU的要求，不含有铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯（PBB）或多溴联苯醚（PBDE）等有害物质，且不含有邻苯二甲酸二（2-乙基己基）酯（DEHP）、丁基苯基邻苯二甲酸酯（BBP）、二丁基邻苯二甲酸酯（DBP）和二异丁基邻苯二甲酸酯（DIBP）等有害物质。此认证不改变任何合同或购买协议的条款。认证由全球环境、健康与安全经理Arsenio M. Cesista Jr.于2017年9月6日签发。
P6SMB120A RoHS合规证书
本文件为Littelfuse公司关于其产品P6SMB120A的RoHS合规性证书。证书声明该产品不含铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯（PBB）和多溴联苯醚（PBDE）等有害物质，且符合欧盟RoHS 2指令2011/65/EU的要求。此外，该产品也不含DEHP、BBP、DBP和DIBP等有害塑化剂，符合欧盟指令（EU）2015/863的规定。证书由Littelfuse全球环境、健康与安全经理Arsenio M. Cesista Jr.签署，并提供了联系方式。
China RoHS Substance Report P6SMB
P6SMBF6.8A（CA）-P6SMBF440A（CA）表面贴装瞬态电压抑制二极管
该资料介绍了P6SMBF系列表面贴装瞬态电压抑制二极管，包括其电压范围、功率、特性、机械数据、最大额定值和特性曲线。这些二极管适用于多种电压范围，具有快速响应时间和良好的钳位能力。
P6SMB系列YENYO表面贴装瞬态电压抑制器
AP6SMB11A thru AP6SMB120CA Surface Mount Transient Voltage Suppressors Peak Pulse Power 600W Breakdown Voltage 11 to 120V
UMH7N双通道数字晶体管（NPN+NPN）
UMH7N是一款双数字晶体管（NPN+NPN）产品，采用SOT-363封装，具有两个DTC143T芯片。该产品具有独立晶体管元件，可降低安装成本和面积，适用于SOT-363自动安装机器。资料中提供了绝对最大额定值和电气特性参数。
UMD12N双通道数字晶体管（NPN+PNP）
UMD12N是一款双数字晶体管（NPN+PNP）产品，采用SOT-363封装，具有独立晶体管元件，可降低安装成本和面积。资料详细介绍了其绝对最大额定值、电气特性、典型特性以及封装尺寸。
UMZ1N双晶体管（NPN+PNP）
本资料介绍了UMZ1N双晶体管（NPN+PNP）的特性和规格。该产品采用SOT-363封装，具有独立的晶体管元件，可降低安装成本和面积。资料中提供了最大额定值、电气特性以及封装尺寸信息。
UMH11N双通道数字晶体管（NPN+NPN）
UMH11N是一款双数字晶体管（NPN+NPN）产品，采用SOT-363封装，具有两个DTC114E芯片。该产品具有独立晶体管元件，可降低干扰，并适用于SOT-363自动安装机器。其主要特点包括降低安装成本和面积，以及提供详细的电气特性和典型特性曲线。
MMST4401晶体管（NPN）SOT-323
本资料详细介绍了MMST4401型NPN晶体管的产品特性，包括其电气特性、最大额定值、典型特性以及封装尺寸。资料中未提及具体的应用领域。
SS8550晶体管（PNP）
本资料详细介绍了SS8550型PNP晶体管的产品特性、电气特性、典型特性以及封装尺寸。资料中提供了该晶体管的最大额定值、电气特性参数、静态特性曲线和封装尺寸图，适用于电子工程师在设计电路时参考。
S9015晶体管（PNP）SOT-23
S9015是一款PNP型晶体管，采用SOT-23封装。资料详细介绍了其最大额定值、电气特性、分类以及封装尺寸等信息。
UMD6N双通道数字晶体管（NPN+PNP）
UMD6N是一款双数字晶体管（NPN+PNP）产品，采用SOT-363封装。该产品具有独立晶体元件，减少干扰，降低安装成本和面积。主要参数包括集电极-基极电压、集电极-发射极电压、发射极-基极电压、集电极电流、集电极功耗等。电气特性包括集电极-基极击穿电压、集电极-发射极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极截止电流、发射极截止电流、集电极-发射极饱和电压、直流电流转移比、输入电阻、转换频率等。此外，还提供了SOT-363封装的轮廓尺寸和推荐焊盘布局图。
UMy1N双晶体管（PNP+NPN）
该资料介绍了UMY1N双晶体管（PNP+NPN）的产品特性。产品包含2SA1037AK和2SC2412K晶体管，采用SOT-353封装。特性包括PNP和NPN晶体管具有共同的发射极，可降低安装成本和面积。资料还提供了绝对最大额定值、电气特性以及SOT-353封装的尺寸和布局信息。
S8050晶体管（NPN）
S8050是一款NPN型晶体管，具有SOT-23封装。该晶体管与S8550互补，具有0.5A的集电极电流。资料中详细列出了S8050的最大额定值、电气特性、典型特性和封装尺寸。包括集电极-基极、集电极-发射极和发射极-基极的击穿电压，集电极截止电流，直流电流增益，饱和电压等参数。此外，还提供了S8050的典型特性曲线和SOT-23封装的轮廓尺寸。
A92晶体管（PNP）
本资料详细介绍了A92型号PNP型晶体管的技术规格和应用。包括其低饱和电压、高击穿电压等特性，最大额定值如集电极-基极电压、集电极-发射极电压等，以及电气特性如集电极电流、直流电流增益等。此外，还提供了典型特性曲线、封装尺寸和推荐焊盘布局图。
A94晶体管（PNP）
本资料详细介绍了型号为A94的PNP型晶体管（SOT-89-3L封装）的技术规格。内容包括最大额定值、电气特性、典型特性曲线以及封装尺寸和推荐焊盘布局。资料涵盖了晶体管的集电极-基极电压、集电极-发射极电压、发射极-基极电压、集电极电流、集电极功耗、工作温度范围等关键参数。
Electronic Mall
Brand：QY Semiconductor
Category：Surface Mount Transient Voltage Suppressors
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In Stock： 0
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